做為最早問世的閃存類型，SLC閃存在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC閃存。

不過SLC閃存成本也是最高的，而且容量也不如其他的閃存類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。

旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC閃存進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。

旺宏表示，他們的SLC閃存率先實現了在主芯片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典范;19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先制程。

不過旺宏電子并沒有透露SLC閃存的具體規格及產品信息。

除了SLC閃存，旺宏也在研發3D閃存，48層堆棧的3D閃存已經完成研發，很快會量產，后續則會沖刺192層3D閃存。

關鍵詞： 閃存

責任編輯：Rex_01