7 月 14 日消息 2021 年國產 IP 與定制芯片生產大會中，三星電子公開了自己的下一代芯片代工制程規劃：3 納米制程將在 2023 年投產。然而，三星此前曾表示 3 納米制程將在 2022 年投用。
據三星解釋，早先定于 2022 年投用的 3 納米工藝是 3GAE 版本，即 3nm gate-all-around early，可以理解為 3 納米工藝的試錯版本。而三星在 2023 年推出的 3 納米工藝是 3GAP，即 3nm gate-all-around plus，可以將其理解為 3 納米工藝的強化版。
此外據 Digitimes 分析，結合英特爾公司發布的芯片制程標準參數可知。臺積電的 3 納米工藝可以做到 2.9 億顆/平方毫米，三星的 3 納米工藝可以做到 1.7 億顆/平方毫米。三星的 3 納米制程指標甚至連英特爾的 7 納米工藝都不如。
不過 Anandtech 報道，對于 3GAE 沒有出現在路線圖中，但 3GAP 卻出現了，三星的一位發言人回應稱，三星一直在與客戶探討 3GAE 工藝，將在 2022 年如期量產。
IT之家了解到，三星最初在 2019 年 5 月宣布其基于 MBCFET 的 3GAE 和 3GAP 節點。三星表示，與 7LPP 相比，3GAE 的性能提高 35%，功耗降低 50%，面積減少 45%。
值得一提的是，上月底，三星宣布 3nm GAA 制程技術已經正式流片。據介紹，三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架構，性能優于臺積電的 3nm FinFET 架構。
作為對比，臺積電 3 納米芯片將于 2022 年下半年開始量產。
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