7 月 14 日消息 2021 年國(guó)產(chǎn) IP 與定制芯片生產(chǎn)大會(huì)中，三星電子公開(kāi)了自己的下一代芯片代工制程規(guī)劃：3 納米制程將在 2023 年投產(chǎn)。然而，三星此前曾表示 3 納米制程將在 2022 年投用。
據(jù)三星解釋，早先定于 2022 年投用的 3 納米工藝是 3GAE 版本，即 3nm gate-all-around early，可以理解為 3 納米工藝的試錯(cuò)版本。而三星在 2023 年推出的 3 納米工藝是 3GAP，即 3nm gate-all-around plus，可以將其理解為 3 納米工藝的強(qiáng)化版。
此外據(jù) Digitimes 分析，結(jié)合英特爾公司發(fā)布的芯片制程標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)可知。臺(tái)積電的 3 納米工藝可以做到 2.9 億顆/平方毫米，三星的 3 納米工藝可以做到 1.7 億顆/平方毫米。三星的 3 納米制程指標(biāo)甚至連英特爾的 7 納米工藝都不如。
不過(guò) Anandtech 報(bào)道，對(duì)于 3GAE 沒(méi)有出現(xiàn)在路線圖中，但 3GAP 卻出現(xiàn)了，三星的一位發(fā)言人回應(yīng)稱，三星一直在與客戶探討 3GAE 工藝，將在 2022 年如期量產(chǎn)。
IT之家了解到，三星最初在 2019 年 5 月宣布其基于 MBCFET 的 3GAE 和 3GAP 節(jié)點(diǎn)。三星表示，與 7LPP 相比，3GAE 的性能提高 35%，功耗降低 50%，面積減少 45%。
值得一提的是，上月底，三星宣布 3nm GAA 制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹，三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架構(gòu)，性能優(yōu)于臺(tái)積電的 3nm FinFET 架構(gòu)。
作為對(duì)比，臺(tái)積電 3 納米芯片將于 2022 年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。
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