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    消息稱:三星3nmGAA在性能和成本方面或不如臺積電的3nmFinFET工藝

    據業內人士透露,三星電子的 3nm GAA 工藝目前仍面臨著漏電等關鍵技術問題,消息人士稱,該工藝在性能和成本方面可能也不如臺積電的 3nm FinFET 工藝。

    據《電子時報》報道,上述人士表示,三星可能最早于 2022 年將其 3nm GAA 工藝量產,但由于成本高和性能不理想,可能無法吸引到臺積電 3nm FinFET 工藝所獲得的客戶,后者據稱已經獲得了蘋果和英特爾的訂單。

    臺積電有望在 2022 年下半年將其 3nm FinFET 工藝推向量產,CEO 魏哲家在最近的財報會議上表示,“N3 將是我們 N5 的另一個全面擴展,并將采用 FinFET 晶體管結構,為我們的客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。”

    在失去蘋果iPhone處理器訂單后,三星在尖端芯片競爭中落后于臺積電。據市場觀察人士稱,從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應商贏得 3nm 競爭的關鍵。

    關鍵詞: 三星 臺積電

    責任編輯:Rex_01

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